巻　頭　言 (Vol.50 No.4)

半導体エレクトロニクス特集の刊行にあたって
奥山雅則	341

総　　説 (Vol.50 No.4)

次世代型高効率低コスト太陽電池の開発とその量産化への事業展開
太和田善久	342

解　　説 (Vol.50 No.4)

自由電子ﾚｰｻﾞの半導体分野への応用
石津　顕・西　和久	349
極薄膜SOIデバイスにおける量子力学的効果と輸送現象
大村泰久	353

論　　文 (Vol.50 No.4)

アーク放電によるカーボンナノチューブの大量作製
安藤義則・趙　新洛	357
カーボンナノチューブの曲げによる屈服座屈挙動
渋谷陽二	361
カーボンナノチューブの電界電子放出特性とディスプレイ応用
秋田成司・松本昌司・村上明繁・中山喜萬	364
水素化アモルファスシリコンの光劣化と光誘起構造変化
清水耕作・岡本博明	368
InGaN系半導体デバイスの発光機構
川上養一・大前邦途・成川幸男・中村修二・藤田茂夫	372
ナイトライド系半導体の電子デバイス展開
西井勝則・池田義人・正戸宏幸・松野年伸・井上　薫	376
デモクラティックモジュール光発電システムによるフィールドテスト（FT）実証評価
高倉秀行・藤井剛・濱川圭弘	380