巻　頭　言 (Vol.51 No.9)

ブレークスルーからイノベーションへ
濱川圭弘	965

総　　説 (Vol.51 No.9)

赤外光弾性法を用いた半導体ウェハ・デバイス中のひずみ分布測定
福澤理行・儲　涛・山田正良	966

解　　説 (Vol.51 No.9)

大容量ストレージフラッシュメモリの技術動向
外山　毅・香田憲次	971

論　　文 (Vol.51 No.9)

圧電応答顕微鏡による強誘電体Pb(Zr,Ti)O3薄膜の分極反転過程の観察
藤沢浩訓・八木達也・清水　勝・丹生博彦	975
石英系光導波路スイッチとハイブリッド素子
森脇和幸・日比野善典	979
GaNおよび関連窒化物のラマン散乱分光
播磨　弘	983
サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発とワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用
吉本昌広	989
走査型容量顕微鏡による半導体材料のサブミクロン評価
内橋貴之・石塚義守・吉田晴彦・岸野正剛	995
極端紫外線露光技術
木下博雄・渡邊健夫・浜本和宏・椿野晴繁	999
SiGe-BiCMOSプロセスによるイメージセンサの試作
太田　淳・時田直幸・香川景一郎・徳田　崇・布下正宏	1005