巻　頭　言 (Vol.60 No.11)

半導体エレクトロニクス特集号の発刊によせて
藤田静雄	967

論　　文 (Vol.60 No.11)

Tersoffポテンシャルによるシリコンの局所格子不安定性解析
屋代如月・藤原正大	968
水溶液プロセスによる酸化亜鉛ナノロッドの作製とバイオセンサへの応用
尾形健一・土橋秀章・小池一歩・佐々誠彦・井上正崇・矢野満明	976
酸化亜鉛単結晶基板の極性面の違いによる表面処理方法とエピタキシャル成長過程の相違
中村　立・藤村紀文	983
単結晶酸化亜鉛薄膜に対する8MeVプロトンの照射効果
小池一歩・天野武志・青木隆裕・藤本龍吾・佐々誠彦・矢野満明・權田俊一・石神龍哉・久米　恭	988
超音波噴霧ミストCVD法によるリチウム系酸化物の成膜
井川拓人・金子健太郎・藤田静雄	994
熱サイクルアニールを適用したSOS(Si-on-Sapphire)基板上GaAsエピタキシャル結晶成長層の品質改善
門岩　薫・佐々木肇・寺井慶和・藤原康文	998
希土類窒化物半導体GdN薄膜の強磁性相転移とスピン秩序誘起のバンドギャップ減少
吉富大明・來山真也・喜多　隆・福岡洋平・藤澤真士・張　衛民・大久保晋・太田　仁・櫻井敬博	1004