巻　頭　言 (Vol.59 No.9)

半導体エレクトロニクス特集号の発刊によせて
藤田静雄	659

論　　文 (Vol.59 No.9)

Ga1-xAlxNとZn1-xMgxOに関する第一原理計算を用いた分極状態の解析
小池一歩・青木隆裕・飯田　俊・福田康人・上辻靖智・佐々誠彦・井上正崇・矢野満明	660
低温成長したAlGdN蛍光体薄膜における深紫外発光効率の向上
來山真也・吉富大明・喜多　隆・和田　修・千木慶隆・西本哲朗・田中寛之・小林幹弘・石原嗣生・泉　宏和	666
有機金属気相エピタキシャル法によるユウロピウム添加窒化ガリウムの成長温度依存性
西川　敦・川崎隆志・古川直樹・寺井慶和・藤原康文	671
気相法による酸化亜鉛半導体薄膜のステップフローホモエピタキシャル成長
西中浩之・藤田静雄	675
定電流電気化学堆積法による酸化亜鉛薄膜の作製
芦田　淳・藤村紀文	681
ミストCVD法によるコランダム型構造酸化物半導体薄膜の作製と評価
金子健太郎・野村太一・福井　裕・藤田静雄	686
スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
寺井慶和・吉田一樹・藤原康文	690
有機ホウ素ポリマーの二光子吸収型多層光メモリへの応用
香取重尊・池之上卓巳・平林克彦・神原浩久・栗原　隆・藤田静雄	694
アンダーフィルの物性値の適正化によるはんだ接合部の信頼性向上
羅　旭・溝口英正・小久保邦雄	699